Le IRF830 est un MOSFET de puissance à canal N (N-Channel Enhancement Mode) conçu pour les applications de commutation haute tension. Il se caractérise par une faible résistance à l'état passant, une commutation rapide et une excellente capacité à supporter des tensions élevées. Il est largement utilisé dans les alimentations à découpage, les convertisseurs de puissance, les commandes de moteurs et les circuits industriels.

Caractéristiques

• Type de composant : MOSFET de puissance à canal N

• Référence : IRF830

• Tension Drain-Source maximale (VDS) : 500 V

• Courant de drain continu (ID) : 4,5 A

• Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 1,35 à 1,5 Ω (selon le fabricant)

• Tension maximale Grille-Source (VGS) : ±20 V

• Puissance dissipée maximale : Jusqu'à 75 W (avec refroidissement adéquat)

• Temps de commutation : De l'ordre de quelques dizaines de nanosecondes

• Boîtier : TO-220

• Nombre de broches : 3

• Température de fonctionnement : De -55 °C à +150 °C 

Brochage

Le boîtier TO-220 du IRF830 possède trois broches :

• Broche 1 : Gate (G) – Commande l'ouverture et la fermeture du MOSFET.

• Broche 2 : Drain (D) – Connexion à la charge ou à la tension d'alimentation.

• Broche 3 : Source (S) – Référence du courant de sortie.

Applications

Le IRF830 est utilisé dans les alimentations à découpage (SMPS), les convertisseurs DC-DC, les onduleurs, les alimentations de téléviseurs et de moniteurs, les commandes de moteurs, les circuits de commande de relais, les systèmes d'éclairage LED et les équipements industriels nécessitant une commutation de puissance haute tension. 

Avantages

Le IRF830 offre une capacité de commutation rapide, une bonne tenue aux hautes tensions, une forte fiabilité, une faible consommation de commande de grille et des protections adaptées aux applications de puissance. Son boîtier TO-220 facilite le montage sur dissipateur thermique pour améliorer les performances de refroidissement.