IRF 530 IRF 530 IRF 530 IRF 530
IRF 530
Category : Components & Parts
SKU 107767

Disponibilité : En stock

IRF 530

300 FCFA

Le IRF530 est un MOSFET de puissance à canal N (N-Channel Power MOSFET) conçu pour la commutation de charges et les applications de conversion de puissance. Il est largement utilisé dans les alimentations à découpage, les variateurs de moteurs, les convertisseurs DC-DC et les commandes de relais. Le IRF530 est un transistor MOSFET de puissance capable de supporter une tension drain-source de 100 V et un courant continu pouvant atteindre 14 A (selon le fabricant et les conditions de refroidissement). Il offre une faible résistance à l'état passant (RDS(on)), permettant de réduire les pertes de puissance.

Le IRF530 est un MOSFET de puissance à canal N (N-Channel Power MOSFET) conçu pour la commutation de charges et les applications de conversion de puissance. Il est largement utilisé dans les alimentations à découpage, les variateurs de moteurs, les convertisseurs DC-DC et les commandes de relais. Le IRF530 est un transistor MOSFET de puissance capable de supporter une tension drain-source de 100 V et un courant continu pouvant atteindre 14 A (selon le fabricant et les conditions de refroidissement). Il offre une faible résistance à l'état passant (RDS(on)), permettant de réduire les pertes de puissance.

Caractéristiques

  • Type : MOSFET de puissance à canal N
  • Technologie : Enhancement Mode
  • Boîtier : TO-220AB
  • Tension Drain-Source (VDS) : 100 V
  • Tension Gate-Source (VGS) maximale : ±20 V
  • Courant Drain continu (ID) : 14 A (à Tc = 25 °C)
  • Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 0,16 Ω max (VGS = 10 V)
  • Charge totale de grille (Qg) : 26 nC (typique)
  • Puissance dissipable : environ 88 W (avec dissipateur thermique)
  • Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
  • Montage : Traversant (Through-Hole)
  • Type de commande : Commande en tension (Gate)

Brochage (vue de face)

Lorsque la face portant l'inscription est orientée vers vous et les broches vers le bas :

  1. Gate (G) – Grille
  2. Drain (D) – Drain
  3. Source (S) – Source

Applications

  • Alimentations à découpage (SMPS)
  • Convertisseurs DC-DC
  • Onduleurs
  • Variateurs de vitesse pour moteurs CC
  • Commande de relais et d'électrovannes
  • Amplificateurs de puissance
  • Systèmes automobiles
  • Commande de charges inductives

Avantages

  • Faible résistance RDS(on)
  • Bonne capacité de commutation
  • Supporte des tensions jusqu'à 100 V
  • Boîtier TO-220 facile à refroidir
  • Protections contre les phénomènes d'avalanche (selon les versions)

Remarques

  • Le IRF530 n'est pas un MOSFET "logic-level". Pour être pleinement saturé, il nécessite généralement une tension de grille d'environ 10 V. Une commande directe par une sortie 5 V d'un microcontrôleur (Arduino, ESP32, STM32, etc.) ne garantit pas une conduction optimale. Pour une commande en 5 V, il est préférable d'utiliser un MOSFET logique tel que IRLZ44N, IRL540N ou IRL530N.

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