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IRF 530
300 FCFA
Le IRF530 est un MOSFET de puissance à canal N (N-Channel Power MOSFET) conçu pour la commutation de charges et les applications de conversion de puissance. Il est largement utilisé dans les alimentations à découpage, les variateurs de moteurs, les convertisseurs DC-DC et les commandes de relais. Le IRF530 est un transistor MOSFET de puissance capable de supporter une tension drain-source de 100 V et un courant continu pouvant atteindre 14 A (selon le fabricant et les conditions de refroidissement). Il offre une faible résistance à l'état passant (RDS(on)), permettant de réduire les pertes de puissance.
Le IRF530 est un MOSFET de puissance à canal N (N-Channel Power MOSFET) conçu pour la commutation de charges et les applications de conversion de puissance. Il est largement utilisé dans les alimentations à découpage, les variateurs de moteurs, les convertisseurs DC-DC et les commandes de relais. Le IRF530 est un transistor MOSFET de puissance capable de supporter une tension drain-source de 100 V et un courant continu pouvant atteindre 14 A (selon le fabricant et les conditions de refroidissement). Il offre une faible résistance à l'état passant (RDS(on)), permettant de réduire les pertes de puissance.
Caractéristiques
- Type : MOSFET de puissance à canal N
- Technologie : Enhancement Mode
- Boîtier : TO-220AB
- Tension Drain-Source (VDS) : 100 V
- Tension Gate-Source (VGS) maximale : ±20 V
- Courant Drain continu (ID) : 14 A (à Tc = 25 °C)
- Résistance à l'état passant (RDS(on)) : 0,16 Ω max (VGS = 10 V)
- Charge totale de grille (Qg) : 26 nC (typique)
- Puissance dissipable : environ 88 W (avec dissipateur thermique)
- Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
- Montage : Traversant (Through-Hole)
- Type de commande : Commande en tension (Gate)
Brochage (vue de face)
Lorsque la face portant l'inscription est orientée vers vous et les broches vers le bas :
- Gate (G) – Grille
- Drain (D) – Drain
- Source (S) – Source
Applications
- Alimentations à découpage (SMPS)
- Convertisseurs DC-DC
- Onduleurs
- Variateurs de vitesse pour moteurs CC
- Commande de relais et d'électrovannes
- Amplificateurs de puissance
- Systèmes automobiles
- Commande de charges inductives
Avantages
- Faible résistance RDS(on)
- Bonne capacité de commutation
- Supporte des tensions jusqu'à 100 V
- Boîtier TO-220 facile à refroidir
- Protections contre les phénomènes d'avalanche (selon les versions)
Remarques
- Le IRF530 n'est pas un MOSFET "logic-level". Pour être pleinement saturé, il nécessite généralement une tension de grille d'environ 10 V. Une commande directe par une sortie 5 V d'un microcontrôleur (Arduino, ESP32, STM32, etc.) ne garantit pas une conduction optimale. Pour une commande en 5 V, il est préférable d'utiliser un MOSFET logique tel que IRLZ44N, IRL540N ou IRL530N.
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