Transistor MOSFET IRF630
250 FCFA
Le IRF630 est un transistor MOSFET canal N de puissance, conçu pour des applications nécessitant une commutation rapide et une bonne capacité de gestion de tensions élevées. Il est particulièrement utilisé dans les circuits d’alimentation, les convertisseurs, les onduleurs et les amplificateurs de puissance. Grâce à sa robustesse et à sa fiabilité, il convient aussi bien aux projets professionnels qu’aux réalisations DIY.
Le IRF630 est un transistor MOSFET canal N de puissance, conçu pour des applications nécessitant une commutation rapide et une bonne capacité de gestion de tensions élevées. Il est particulièrement utilisé dans les circuits d’alimentation, les convertisseurs, les onduleurs et les amplificateurs de puissance. Grâce à sa robustesse et à sa fiabilité, il convient aussi bien aux projets professionnels qu’aux réalisations DIY.
Caractéristiques principales
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Type : MOSFET canal N
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Modèle : IRF630
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Tension drain-source maximale : 200 V
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Courant drain maximal : 9 A
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Résistance Rds(on) : 0,18 Ω (selon conditions)
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Puissance dissipable : 125 W
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Boîtier : TO-220
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Température de fonctionnement : -55 °C à +175 °C
Applications
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Alimentation à découpage (SMPS)
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Onduleurs et convertisseurs
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Contrôle de moteurs
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Amplificateurs de puissance
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Projets industriels et électroniques de puissance
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